ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TSM900N06CW RPG
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Taiwan Semiconductor Corporation
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TSM900N06CW RPG-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 6A (Tc) 7.8W (Tc) Surface Mount SOT-223
ສິນຄ້າ:
11279 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12895876
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TSM900N06CW RPG ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Taiwan Semiconductor
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
525 pF @ 30 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
7.8W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ເກຣດ
-
ຄຸນສົມບັດ
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SOT-223
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-261-4, TO-261AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TSM900
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
TSM900N06CWRPGDKR
TSM900N06CW RPGTR
TSM900N06CW RPGTR-DG
TSM900N06CW RPGCT-DG
TSM900N06CWRPGCT
TSM900N06CW RPGDKR
TSM900N06CW RPGDKR-DG
TSM900N06CW RPGCT
TSM900N06CWRPGTR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
3 (168 Hours)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
DMT6016LJ3
MOSFET BVDSS: 41V-60V TO251
DMP3010LPS-13
MOSFET P-CH 30V 14.5A PWRDI5060
TSM70N600CI C0G
MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB